供应IPB072N15N3G MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3

型号：IPB072N15N3G
品牌：INFINEON
封装：TO-263
批号：18+
数量：1000个




FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 8V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 270μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 93nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5470pF @ 75V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO263-3-2
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB






TLV2221CDBVR
TPS54560QDDARQ1
TPS54560BQDDARQ1
DCH010505SN7
TPS61088RHLR
ADC12D1000CIUT
ADS1298IPAGR
IRF2907ZPBF
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ISL54211IRUZ-T
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SAF-XC886C-6FFA5VAC
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XMC1302-T038X0032AB
XMC1402-T038X0032AA
XMC4108-F64K64BA
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MDD4N60RH




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