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K4T1G164QF-BCE7裕硕推荐

发布时间:2013/7/31 17:00:00 访问次数:1471 发布企业:深圳市裕硕科技有限公司

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型号:K4T1G084QF-BCE7
品牌:SAMSUNG(三星)
类别:DRAM的〜;〜;DDR2 SDRAM,
容量及刷新速率:1GB,8K/64ms
芯片结构:X8
芯片排数:8家银行
内存接口(VDD),VDDQ电压:SSTL_18,1.8V,1.8V
内核代号F-模
产品封装:FBGA封装倒装芯片(无铅免费无卤素)
温度/功耗:商业温度(0°C〜;+85°C),正常供电
速度:DDR2-800(400MHZ@ CL= 5,tRCD的= 5,TRP= 5)

Nand闪存芯片介绍
Nand-flash内存是flash内存的一种,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell,一般来说,一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位,连成bit line,形成所谓的byte(x8)/word(x16),这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page,(NAND Flash 有多种结构,我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M),每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)),每32个page形成一个Block(32×528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block,故总容量为4096×(32×528B)=66MB,但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的,故实际中可使用的为64MB。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

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