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STM8S003F3U6TR

发布时间:2017/7/12 22:28:00 访问次数:258 发布企业:瀚佳科技(深圳)有限公司

STM8S003F3U6TR 资料

数据列表 STM8S003K3/F3;

标准包装STM8S003F3U6TR-ND;part_id=3087895;ref_supplier_id=497;ref_page_event=Standard Packaging" /> 3,000
包装 标准卷带
类别 集成电路(IC)
产品族 嵌入式 - 微控制器
系列 STM8S

核心处理器 STM8
核心尺寸 8-位
速度 16MHz
连接性 I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART
外设 欠压检测/复位,POR,PWM,WDT
I/O 数 16
程序存储容量 8KB(8K x 8)
程序存储器类型 闪存
EEPROM 容量 128 x 8
RAM 容量 1K x 8
电压 - 电源(Vcc/Vdd) 2.95 V ~ 5.5 V
数据转换器 A/D 5x10b
振荡器类型 内部
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳 20-UFQFN


目前,半导体制程最尖端为10nm工艺,而面向预计年内上市的苹果

“iPhone 8”,则由台积电的10nm CPU(中央处理器)独家获得订单。

新一代的7纳米芯片除了智能手机之外,在支撑人工智能(AI)的数据中

心领域,需求也有望扩大。

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在公开资料的制程工艺进展中,GF和台积电的7nm进展最速,由此,

传出高通把骁龙845的代工转交给了台积电,而和好伙伴三星分道扬镳。

据外媒报道,三星半导体高管,营销副总裁Sanghyun Lee透露,我们

的7nm EUV极紫外光刻技术会是完整的EUV技术。当我们在明年推出

该技术的时候,我们将在生产良率和价格上超过他们(台积电)。

同时,该人士还表示,纯代工的营收也有信心反超天字一号TSMC。

目前,三星正提供最先进的10nm芯片代工,包括两款已经上市的骁

龙835和Exynos 8895。

另外,明年上半年,三星计划先进入8nm工艺,随后才是7nm。

看着两个后进生如此你争我夺,不知道依然致力于优化14nm的Intel

做何感想。

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