AD2S1205YSTZ PDF资料
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AD2S1205;
标准包装
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包装
托盘
类别
集成电路（IC）
产品族
数据采集 - ADCs/DAC - 专用型
系列
-
类型
R/D 转换器
分辨率（位）
12 b
采样率（每秒）
-
数据接口
串行，并联
电压源
模拟和数字
电压 - 电源
4.75 V ~ 5.25 V
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
44-LQFP
供应商器件封装
44-LQFP（7x7）
高通发布首款由三星电子10纳米制程打造的旗舰级处理器芯片骁龙
(Snapdragon)835，具备Quick Charge 4.0快充技术、虚拟实境
(VR)、机器学习等亮点，已成功吸引包括三星、乐金电子、小米、
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Oppo、Vivo等智能手机品牌厂下单排队，未来三星10纳米制程良
率和产能配置，将攸关高通Snapdragon 835出货及版图扩张。
近期半导体业界纷高度关注高通Snapdragon 835发展动向，以及
三星10纳米制程竞争力，面对联发科、台积电携手首颗10纳米产品
Helio X30大举进逼，高通此役不仅攸关2017年手机芯片大厂竞局
变化，更是三星与台积电在10纳米先进制程的顶尖对决。
高通先前推出的旗舰级芯片Snapdragon 820/821，系采用三星
14纳米FinFET制程及改良版14纳米LPP(Low Power Plus)制程生
产，并导入超过200款手机和平板电脑等终端移动装置，高通新问
世的Snapdragon 835采用三星10纳米制程，已进入量产阶段，
2017年上半搭载Snapdragon 835的各家手机将陆续量产出货。
高通Snapdragon 835芯片应用领域涵盖智能手机、VR/AR头戴式
屏幕、IP网路摄影机、平板电脑、移动式个人电脑等终端装置，目
前已传出多家手机大厂将采用高通Snapdragon 835芯片，包括三
星、小米、乐金、Oppo、Vivo等。
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半导体业者认为，10纳米制程对于半导体大厂而言是一道极具挑战
的关卡，高通Snapdragon 835芯片后续出货及决胜关键，将是三
星10纳米制程良率是否能改善，以及有无充足的10纳米制程产能可
供应手机大客户需求。
高通产品管理资深副总裁Keith Kressin在CES上揭露Snapdragon
835细节，其采用8核心搭载Kryo 280 CPU，包含4个时脉可达2.45
GHz的性能核心，以及4个时脉可达1.9GHz的效能核心，并加入支
持机器学习功能，透过升级至Snapdragon类神经网路处理引擎软
件框架，可支持如Google的人工智能(AI)技术TensorFlow，让芯
片可以自我学习各种功能，了解使用者习惯，或是强化AR/VR使用
体验等。
Snapdragon 835亦支持Google Daydream移动VR平台，强化视
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另外，高通Snapdragon 835亮点之一是Quick Charge 4.0快充技
术，相较于Quick Charge 3.0充电速度提高20%，充电5分钟约可
达5小时的电池容量，充电15分钟可达到装置电池容量50%，Snap
dragon 835封装尺寸缩小35%，功耗降低25%，拥有更轻薄设计
及更长电池续航力，且新增高通Haven安全平台，针对生物辨识与
装置验证提供更严密的防护。
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