产品种类:
MOSFET
制造商:
Infineon
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-247-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
500 V
Id-连续漏极电流:
32 A
Rds On-漏源导通电阻:
110 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
封装:
Tube
通道模式:
Enhancement
商标名:
CoolMOS
商标:
Infineon Technologies
配置:
Single
下降时间:
10 ns
高度:
21.1 mm
长度:
16.13 mm
Pd-功率耗散:
284 W
上升时间:
30 ns
系列:
CoolMOS C3
工厂包装数量:
240
晶体管类型:
1 N-Channel
典型关闭延迟时间:
100 ns
典型接通延迟时间:
20 ns
宽度:
5.21 mm
零件号别名:
SP000014625 SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3XK
单位重量:
38 g
全球最大的射频功率晶体管供应商恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)
今日宣布推出业内面向915MHz应用的最高功率晶体管。MRF13750H晶体管
提供750W连续波(CW)，比目前市场上同类产品高出百分之五十。MRF13750H
晶体管基于50V硅技术LDMOS，突破了半导体射频功率放大器的极限，使之成
为在高功率工业系统中替代真空管的极具吸引力的产品。
SPW32N50C3原装正品可深港两地交货
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恩智浦市场射频功率工业技术高级总监兼总经理Pierre Piel表示：“长期以来，
半导体器件的可靠性和优异的控制特性早已得到认同，但是工业系统设计人员
难以组合多个晶体管来匹配磁控管的功率水平。现在凭借MRF13750H的优异
性能，工业加热工程师能在非常高功率的系统中使用这种晶体管。”
射频能量联盟执行董事Klaus Werner表示：“鉴于固态射频能量作为高效可控
的热源和功率源具有诸多优势，射频能量联盟(RFEA)认为该技术有着不可估量
的市场机会，不仅能够改善现有的射频能量应用，而且有助于开发新的能量应
用。新产品MRF13750H的强大性能无疑将加速行业向固态射频技术的转型。”
这款新晶体管专为工业、科学和医疗(ISM)应用而设计，范围从700MHz至
1300MHz，特别适合工业加热/干燥、固化和材料焊接及颗粒加速器应用。
MRF13750H在915MHz时可提供750W CW，效率为67%，封装为3×3.8英
寸(7.6×9.7厘米)小封装。
SPW32N50C3原装正品可深港两地交货
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