产品种类:
MOSFET
制造商:
Infineon
RoHS:
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
- 55 V
Id-连续漏极电流:
- 12 A
Rds On-漏源导通电阻:
175 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
- 4 V
Qg-栅极电荷:
12.7 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
封装:
Tube
商标:
Infineon / IR
配置:
Single
下降时间:
37 ns
正向跨导 - 最小值:
2.5 S
高度:
15.65 mm
长度:
10 mm
Pd-功率耗散:
45 W
上升时间:
55 ns
工厂包装数量:
50
晶体管类型:
1 P-Channel
典型关闭延迟时间:
23 ns
典型接通延迟时间:
13 ns
宽度:
4.4 mm
单位重量:
6 g
到2030年，第三代半导体产业力争全产业链进入世界先进行业，部
分核心关键技术国际引领，核心环节有1至3家世界龙头企业，国产
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化率超过70%。”这是日前在京举办的第三代半导体战略发布会上，
第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲所描述的我国半导
体产业未来的发展前景。
据专家介绍，与第一代、第二代半导体材料及集成电路产业上的多
年落后、很难追赶国际先进水平的形势不同，我国在第三代半导体领
域的研究工作一直紧跟世界前沿，工程技术水平和国际先进水平差距
不大。当前，已经发展到了从跟踪模仿到并驾齐驱、进而可能在部分
领域获得领先和比较优势的阶段，并且有机会实现超越。
据悉，第三代半导体具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、
搞电子密度、高迁移率等特点，因此也被业内誉为固态光源、电力电
子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动
机”。
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记者在采访中获悉，半导体产业发展至今经历了三个阶段，第一代半
导体材料以硅(Si)为代表，以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料
和以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)等宽禁带为代表的第三
代半导体材料。相较前两代产品，第三代半导体其性能优势非常显著且
受到业内的广泛好评。
对于第三代半导体发展，科技部高新司副司长曹国英曾表示，第三代半
一些地方也将半导体产业的发展作为主要项目予以特别关注。例如，北京
市科委主任闫傲霜就曾表示，建设第三代半导体材料及应用联合创新基地，
既是国家级的重要战略部署，也是北京作为全球科技创新中心的一项重要
的决策。
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华南智慧创新研究院院长曾海伟认为，国内的半导体产业需求已占到全球
市场需求的30%，但产能只有10%，处于产业链的底部，更是缺乏大型的、
有核心技术及话语权的龙头公司。
曾海伟在接受《中国产经新闻》记者采访时表示，半导体的发展不是一朝
一夕发展起来的，我国半导体发展还面临着人才、技术和经验的瓶颈。同
时，创新链不通、缺乏体制机制创新也是阻碍其发展的原因。
“最大的瓶颈是原材料。”多位业内专家曾表示，我国原材料的质量、制
备问题亟待破解。目前，我国对sic晶元的制备尚未空缺，大多数设备靠国
外进口。
也有专家认为，国内开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与
国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始创
新问题。国内新材料领域的科研院所和相关生产企业大都急功近利，难以
容忍长期“只投入，不产出”的现状。因此，以第三代半导体材料为代表
的新材料原始创新举步维艰。
所谓的原始创新就是从无到有的创新过程，其特点是投入大、周期长。以
SiC为例，其具有宽的禁带宽度、高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱
和速率及更高的抗辐射能力，非常适合于制作高温、高频、抗辐射及大功
率器件。
资料显示，SiC生长晶体难度很大，虽然经过了数十年的研究发展，到目前
为止只有美国的Cree公司、德国的SiCrystal公司和日本的新日铁公司等少
数几家公司掌握了SiC的生长技术，能够生产出较好的产品，但离真正的大
规模产业化应用也还有较大的距离。因此，以第三代半导体材料为代表的
新材料原始创新举步维艰，是实现产业化的一大桎梏。
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