产品种类:
整流器
制造商:
STMicroelectronics
RoHS:
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3 FP
Vr - 反向电压:
200 V
If - 正向电流:
20 A
类型:
Fast Recovery Rectifiers
配置:
Dual Common Cathode
Vf - 正向电压:
1.25 V at 20 A
最大浪涌电流:
90 A
Ir - 反向电流:
10 uA
恢复时间:
27 ns
最大工作温度:
+ 175 C
系列:
STTH2002C
封装:
Tube
商标:
STMicroelectronics
高度:
9.3 mm (Max)
长度:
10.4 mm (Max)
Pd-功率耗散:
-
产品:
Rectifiers
工厂包装数量:
1000
端接类型:
Through Hole
宽度:
4.6 mm (Max)
单位重量:
2.300 g
STTH2002CFP只做进口原装正品假一罚十
STTH2002CFP只做进口原装正品假一罚十
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近日，北京大学信息科学技术学院、固态量子器件北京市重点实验
室“千人计划”教授徐洪起课题组，与中国科学院半导体研究所、
半导体超晶格国家重点实验室赵建华研究员课题组合作，首次采用
砷化铟(InAs)纳米线制备出具有高可调性的半导体耦合三量子点量
子器件，并对器件的电子稳态构型、相干输运和电子在远距离量子
点之间通过虚态辅助隧穿进行长程交换的物理过程进行了精细测量。
该研究展示了基于半导体纳米线的线性三量子点体系可被用为通用
量子器件平台，以及构筑具有长相干时间、全电学调控的自旋量子
比特器件和量子计算芯片的潜力。
STTH2002CFP只做进口原装正品假一罚十
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半导体InAs材料具有较高的电子迁移率、较小的电子有效质量、较
大的朗德因子和较强的自旋-轨道耦合。在本研究中，联合课题组采
用先进局域底指栅阵列技术，在单根单晶纯相InAs纳米线上构造出
串联耦合的三量子点结构，其中限制量子点的局域势垒、量子点中
的电化学势、量子点之间的隧穿耦合强度均可被独立调控;量子点输
运性质的测量和调控是在超低温稀释制冷机环境下完成的。该工作
是首次在半导体InAs纳米线三量子点器件中，以精细栅调控技术实
现以能量简并四重点为标志的三量子点相干共振耦合。研究还通过
电子相干输运测量证实，在中间的量子点处于库仑阻塞状态时，被
中间量子点隔开的两端量子点之间依然可通过共隧穿实现相干强耦
合，其单电子能够在远端两个量子点之间进行长程相干交换，从而
展现超交换相互作用的物理过程。
STTH2002CFP只做进口原装正品假一罚十
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