晶体管 HGTG11N120CND MOSFET - 单

晶体管 HGTG11N120CND MOSFET - 单属性

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晶体管 HGTG11N120CND MOSFET - 单描述

HGTG11N120CND介绍：

描述 IGBT 1200V 43A 298W TO247

详细描述 IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 管件

零件状态 不適用於新設計

IGBT 类型 NPT

电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 43A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 80A

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.4V @ 15V，11A

功率 - 最大值 298W

开关能量 950μJ（开），1.3mJ（关）

输入类型 标准

栅极电荷 100nC

25°C 时 Td（开/关）值 23ns/180ns

测试条件 960V，11A，10 欧姆，15V

反向恢复时间（trr） 70ns

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247

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