晶体管 FDT458P MOSFET - 单

晶体管 FDT458P MOSFET - 单属性

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晶体管 FDT458P MOSFET - 单描述

FDT458P介绍：

描述 MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223

制造商标准提前期 20 周

详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 3.4A（Ta） 3W（Ta） SOT-223-4

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 ON Semiconductor

系列 PowerTrench®

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

FET 类型 P 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.4A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 130 毫欧 @ 3.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.5nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 205pF @ 15V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 3W（Ta）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 SOT-223-4

封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

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