晶体管 NSVMMUN2232LT1G 双极 (BJT)

晶体管 NSVMMUN2232LT1G 双极 (BJT)属性

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晶体管 NSVMMUN2232LT1G 双极 (BJT)描述

NSVMMUN2232LT1G介绍：

描述 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3

制造商标准提前期 36 周

详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置

制造商 ON Semiconductor

系列 -

包装 带卷（TR）

零件状态 在售

晶体管类型 NPN - 预偏压

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V

电阻器 - 基底（R1） 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极基底（R2） 4.7 kOhms

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 15 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 1mA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值） 500nA

功率 - 最大值 246mW

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）

基本零件编号 MMUN22**L

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