晶体管 PSMN1R0-30YLC MOSFET - 单

晶体管 PSMN1R0-30YLC MOSFET - 单属性

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晶体管 PSMN1R0-30YLC MOSFET - 单描述

PSMN1R0-30YLC介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 272W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.15 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.95V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 103.5nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6645pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 272W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 LFPAK56，Power-SO8
封装/外壳 SC-100，SOT-669，4-LFPAK
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理论上和实际证明，不同种类的晶体管可以在低于1伏到上千伏电压下工作，而电子管的第二电源（乙电）最低也要数伏，最高也就1000多伏，所以晶体管能被用在更广泛的电路中，使其他优势得以发挥。

　恩智浦(NXP)自2006年9月1日起，成为全球半导体市场的独立领导厂商之一。名称中蕴含着 “新的体验”(Next Experience)的意义，禀承英文品牌的精神, 中文名称中的”浦”字，强调恩智浦累积过去在飞利浦53年以来的珍贵经验与丰富资源。

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