晶体管 IRLI640GPBF MOSFET

晶体管 IRLI640GPBF MOSFET属性

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晶体管 IRLI640GPBF MOSFET描述

IRLI640GPBF介绍：
描述 MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 18 周
详细描述 通孔 N 沟道 200V 9.9A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 9.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 180 毫欧 @ 5.9A，5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 66nC @ 10V
Vgs（最大值） ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 40W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片
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仅为电子管的十分之一或几十分之一。它不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子。一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去，这对电子管收音机来说，是难以做到的。

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