晶体管 SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET

晶体管 SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET属性

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晶体管 SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET描述

SQ2303ES-T1_GE3介绍：
描述 MOSFET P-CHAN 30V SOT23
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Tc） 1.9W（Tc） TO-236（SOT-23）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchFET®
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 170 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 6.8nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 210pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.9W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-236（SOT-23）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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沟道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n型，那么沟道也会是n型。沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。

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