晶体管 PMDT290UCE,115 MOSFET - 阵列
晶体管 PMDT290UCE,115 MOSFET - 阵列属性
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晶体管 PMDT290UCE,115 MOSFET - 阵列描述
PMDT290UCE,115介绍:
描述 MOSFET N/P-CH 20V SOT666
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 13 周
详细描述 Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA, 550mA 500mW Surface Mount SOT-666
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 汽车级,AEC-Q101,TrenchMOS™
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 800mA,550mA
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 380 毫欧 @ 500mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 0.68nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 83pF @ 10V
功率 - 最大值 500mW
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
供应商器件封装 SOT-666
安富利(深圳)商贸有限公司介绍:
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晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值,例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用,晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性,像是直流放大率hfe、NF噪讯比等,可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
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