晶体管 SIHF6N40D-E3 FET

晶体管 SIHF6N40D-E3 FET属性

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晶体管 SIHF6N40D-E3 FET描述

SIHF6N40D-E3介绍：
描述 MOSFET N-CH 400V 6A TO-220 FPAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 18 周
详细描述 通孔 N 沟道 400V 6A（Tc） 30W（Tc） TO-220 整包
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay Siliconix
系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 400V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 311pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 30W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220 整包
封装/外壳 TO-220-3 整包
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场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管.

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