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SI7464DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7464DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7464DP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7464DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7464DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7464DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SZ1SMB5941BT3G
TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 3W 47V SMB
STPS10L40CG-TR
二极管，整流器 - 阵列 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB DIODE SCHOTTKY 40V 5A D2PAK
SI7461DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
STS8C5H30L
FET - 阵列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH 30V 8A/5.4A 8SOIC
SWH25X-NULC-S07-UU-BA
矩形 - 外壳 Sullins Connector Solutions 径向 CONN RCPT .100" SNGL BEIGE 7POS
SIA923EDJ-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET P-CH 20V ESD SC-70-6
SSK-125-S-G
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 25POS GOLD T/H
SM4124FTR383
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 0.383 OHM 2W 1% WW 4124
SZ1SMB7.5AT3G
TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-214AA，SMB TVS ZENER 600W 7.5V SMB
STS8DNH3LL
FET - 阵列 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
SWITCH08
开关 Red Lion Controls 径向 8-PORT ETHERNET SWITCH
SSK-132-S-G
板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 32POS GOLD T/H
SZ1SMC20AT3G
TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-214AB，SMC TVS ZENER 1.5KW 20V SMC
SM4124FTR487
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 0.487 OHM 2W 1% WW 4124
SIA975DJ-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET P-CH D-S 12V SC-70-6

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