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SI7461DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 14.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

SI7461DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 14.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7461DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：8.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14.5 毫欧 @ 14.4A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：190nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.9W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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RYM15DTMT
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS R/A .156 SLD
RT1206DRE0753R6L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 53.6 OHM 1/4W .5% SMD 1206
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模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector PowerPAK? CHIPFET? 双 CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX SHLD
SMAJ130CA
TVS - 二极管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 130V 400W BIDIR 5% SMA
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RYM15DTMT-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS R/A .156

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