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SIA923EDJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 20V ESD SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：剪切带 (CT)

SIA923EDJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 20V ESD SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：Digi-Reel®

SIA923EDJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 20V ESD SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：54 毫欧 @ 3.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：带卷 (TR)

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SIA923EDJ-T1-GE3 辉华拓展 0755-83202411
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SIA923EDJ-T1-GE3 瀚佳科技（深圳）有限公司 0755-23915992
SIA923EDJ-T1-GE3CT 北京元坤国际科技有限公司 010-62962871、
SIA923EDJ-T1-GE3 深圳市金嘉锐电子有限公司 0755-22929859
SIA923EDJ-T1-GE3CT 深圳市恒佳微电子有限公司 0755-82710336
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