FQB46N15TM_AM002详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 150V 45.6A D2PAK
- 系列:QFET™
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:150V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:45.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:42 毫欧 @ 22.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:110nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3250pF @ 25V
- 功率_最大:3.75W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D²PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 25V 10% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 1000PF 50V 10% X8R 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 130 OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 10UF 50V 10% X7S 1210
- 单二极管/整流器 Comchip Technology DO-214AA,SMB DIODE GEN PURP 3A 50V DO-214AA
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 0.33UF 25V 10% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 130 OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 1000PF 50V 10% X8R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 1210(3225 公制) CAP CER 6.8UF 50V 10% X7S 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805(2012 公制) RES 15 OHM 1/4W 5% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603(1608 公制) CAP CER 10000PF 50V 10% X8R 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 0.68UF 25V 10% RADIAL
- 陶瓷 TDK Corporation 1812(4532 公制) CAP CER 1.5UF 50V 10% X7R 1812
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
- 单二极管/整流器 Comchip Technology DO-214AB,SMC DIODE GEN PURP 3A 50V DO-214AB