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当前位置:网站首页 » 库存索引206 » 型号"FQB50N06LTM"的供应信息

FQB50N06LTM 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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FQB50N06LTM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:52.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 26.2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1630pF @ 25V
功率_最大:3.75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D²PAK
包装:Digi-Reel®

FQB50N06LTM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:52.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 26.2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1630pF @ 25V
功率_最大:3.75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D²PAK
包装:剪切带 (CT)

FQB50N06LTM详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK
系列:QFET™
制造商:Fairchild Semiconductor
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:52.4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 26.2A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1630pF @ 25V
功率_最大:3.75W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装:D²PAK
包装:带卷 (TR)

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