FQA55N10详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 100V 61A TO-3P
- 系列：QFET™
- 制造商：Fairchild Semiconductor
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：61A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：26 毫欧 @ 30.5A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：98nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：2730pF @ 25V
- 功率_最大：190W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
- 供应商设备封装：TO-3P
- 包装：管件
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.0K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 330PF 100V 5% NP0 0603
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 47UF 6.3V RADIAL
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 80V 49.8A TO-3P
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 100K OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 1206（3216 公制） CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 1206
- 陶瓷 TDK Corporation 径向 CAP CER 22UF 10V RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Rohm Semiconductor 0805（2012 公制） RES 10.0 OHM 1/4W 1% 0805 SMD
- 陶瓷 TDK Corporation 1210（3225 公制） CAP CER 5600PF 630V 5% NP0 1210
- 陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 680PF 100V 5% NP0 0603
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-3P
15821228847 / 
15026993318 / 
0755-82574045 
0755-82533534 
19520735817/1 
171-4755-1968 
0755-88291559 
0755-83051566 
18927479189 
13910052844（微 
13910052844（微 
0755-22929859 
