BCX5616TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 80V SOT-89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:带卷 (TR)
BCX5616TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 80V SOT-89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:Digi-Reel®
BCX5616TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 80V SOT-89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5.6UF 10V 20% X7R 1206
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 100V 5% NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 470UH 580MA SMD
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5.6PF 25V 5% NP0 1206
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN MED-PWR 80V 1A SOT-89
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.022UF 200V X7R 1210
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 680UH 0.48A
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 620PF 50V 2% NP0 1206
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.22UF 25V 1% NP0 1210
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 100UH 1.7A SMD
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 25V 5% X7R 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-243AA TRANS NPN 80V 1A 2W SOT89