B82477G2474M 全国供应商、价格、PDF资料
B82477G2474M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 470UH 580MA SMD
- 系列:B82477G2
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:470µH
- 电流:
- 额定电流:580mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 770 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.472" L x 0.472" W x 0.236" H(12.00mm x 12.00mm x 6.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:带卷 (TR)
B82477G2474M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 470UH 580MA SMD
- 系列:B82477G2
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:470µH
- 电流:
- 额定电流:580mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 770 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.472" L x 0.472" W x 0.236" H(12.00mm x 12.00mm x 6.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:剪切带 (CT)
B82477G2474M详细规格
- 类别:固定式
- 描述:INDUCTOR POWER 470UH 580MA SMD
- 系列:B82477G2
- 制造商:EPCOS Inc
- 类型:铁氧体芯体
- 电感:470µH
- 电流:
- 额定电流:580mA
- 电流_饱和值:-
- 容差:±20%
- 材料_磁芯:铁氧体
- 屏蔽:屏蔽
- DC电阻333DCR444:最大 770 毫欧
- 不同频率时的Q值:-
- 频率_自谐振:-
- 工作温度:-
- 封装/外壳:非标准
- 大小/尺寸:0.472" L x 0.472" W x 0.236" H(12.00mm x 12.00mm x 6.00mm)
- 安装类型:表面贴装
- 包装:Digi-Reel®
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 12X12 1.3UH 8.70A
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-243AA TRANS NPN 60V 1A 1W SOT89
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.022UF 100V 5% X7R 1210
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 50V 1% NP0 0402
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 33UH 2.10A
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5.6UF 10V 20% X7R 1206
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANSISTOR NPN 80V 1A SOT89
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 100V 5% NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5.6PF 25V 5% NP0 1206
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN MED-PWR 80V 1A SOT-89
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 0.022UF 200V X7R 1210
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 680UH 0.48A
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1000PF 25V 5% NP0 0402
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-243AA TRANSISTOR NPN 80V SOT-89