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BCX56TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 80V 1A 2W SOT89; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：150MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89; 包装：Digi-Reel®

BCX56TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 80V 1A 2W SOT89; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：150MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89; 包装：带卷 (TR)

BCX56TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN 80V 1A 2W SOT89; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：80V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：40 @ 150mA，2V; 功率_最大：1W; 频率_转换：150MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：SOT-89; 包装：剪切带 (CT)

BCX56-16,147
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN MED-PWR 80V 1A SOT-89
C1210C223K2RACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.022UF 200V X7R 1210
B82477G2684M
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 680UH 0.48A
C0402C102J3GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 1000PF 25V 5% NP0 0402
BCX5616TA
晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-243AA TRANSISTOR NPN 80V SOT-89
C1206C621G5GACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 620PF 50V 2% NP0 1206
C0603C332K5RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0603
C1210C224F3GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.22UF 25V 1% NP0 1210
B82477G4104M
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 100UH 1.7A SMD
C0603C332K8RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3300PF 10V 10% X7R 0603
C1210C224J3GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.22UF 25V 5% NP0 1210
B82477G4153M
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 12X12 15.0UH 4.50A
C0402C102J4RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 1000PF 16V 5% X7R 0402
BCX70H,235
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
C0603C333J3RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.033UF 25V 5% X7R 0603

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