LTC4370
应用信息
高可用性系统通常采用并联
电源或电池馈电，以实现冗余
并提高系统的可靠性。 ORing二极管已
一个流行的点连接这些设备的方式
的负载。系统正常运行时间进一步提高，如果这些平行
用品还分担负载电流。
V
INA
5V
M1
SUM85N03-06P
C1
39nF
EN1
C
VCC
0.1F
R3
30.1k
V
CC
GND
范围
EN2
C2
39nF
M2
SUM85N03-06P
CPO2
LTC4370
CPO1
V
IN1
GATE1
OUT1
D1
均流特性
该LTC4370负载通过删除共享两个电源
横跨串联的MOSFET的电压差
与它们（参见图1） 。在下部支持在MOSFET
层降到最低伺服电压V
帧中继（MIN）
(12mV
或为25mV取决于电源电压电平），而
其它MOSFET降V
帧中继（MIN）
加电源电压
差别。这两个均衡OUT引脚的电压，并
通过欧姆定律，流经感应电流
电阻器。图2a示出了这一点。它显示了较高的
供给的MOSFET的正向电压降，V
FWD
，增加
以弥补供应差达到± 500mV的。
伺服命令调整的上限是
最小伺服加RANGE引脚电压（ 500mV的中
图2）。因此，当这两个电源相差一个电压
年龄等于V
范围
，较高的电源的V
FWD
被固定
在最大伺服电压V
帧中继（MAX）中
。如果耗材
超过V分歧
范围
， OUT引脚电压启动
FETON1
FETON2
OUT2
R4
820
R1
2.5m
R2
2.5m
分享
关闭
C
C
0.18F
4370 F01
OUT
10A
V
IN2
GATE2 COMP
V
INB
5V
D1 ：红色LED
LN1251C
图1. 5V二极管或负载共享与状态指示灯
I
2
归
当前
V
范围
= 500mV的
1
1
= 2R
S
坡
0.5
I
1
I
2
归
当前
V
范围
= 500mV的
1
1
= 2R
S
坡
2R
S
+ R
DS （ ON）
0.5
I
1
V
帧中继（MIN）
I
1
0
–500mV
0
500mV
I
2
I
1
I
L
R
DS （ ON）
0
–400mV
0
分享捕捉范围
±V
IN（ SH ）
MOSFET
前锋
降
V
FWD2
400mV
I
2
V
IN1
– V
IN2
I
L
R
S
最大M1
功率MOSFET
耗散
V
IN1
– V
IN2
100mV的+ I
L
R
S
分享捕捉范围± ΔV
IN（ SH ）
最大M2
功率MOSFET
耗散
V
FWD2
MOSFET
前锋
降
V
帧中继（MAX）中
525mV
V
FWD1
525mV
V
FWD1
V
帧中继（MIN）
–500mV
0
25mV
500mV
V
IN1
– V
IN2
绘画是不按比例！
0.5I
L
R
DS （ ON）
125mV
25mV
–400mV
0
400mV
V
IN1
– V
IN2
4370 F02
（ 2A ）低R
DS （ ON）
：能伺服系统25mV的最小
正向电压调节半载
（2b）的高R
DS （ ON）
：完全打开MOSFET
下降125mV半载
4370f
图2.负载均衡特性
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