LTC4370
典型用途
1.2V负载共享
V
INA
1.2V
SUM85N03-06P
39nF
EN1
5V
0.1F
V
CC
GND
范围
EN2
CPO1
V
IN1
GATE1
OUT1
LTC4370
FETON1
FETON2
OUT2
2m
OUT
2m
7.5k
CPO2
39nF
V
IN2
GATE2
COMP
0.18F
V
INB
1.2V
SUM85N03-06P
4370 TA04
相关配件
产品型号
LTC1473/
LTC1473L
LTC1479
LTC4352
LTC4353
LTC4354
LTC4355
LTC4357
LTC4358
LTC4411
LTC4412/
LTC4412HV
LTC4413/
LTC4413-1
LTC4414
LTC4415
LTC4416/
LTC4416-1
描述
双重的PowerPath
TM
开关驱动器
的PowerPath控制器为双电池系统
低电压理想二极管控制器与监控
双通道，低电压理想二极管控制器
负电压二极管或控制器和显示器
正高电压理想二极管，或与供应和
保险丝显示器
正高电压理想二极管控制器
5A理想二极管
2.6A低损耗理想二极管采用ThinSOT封装
TM
评论
N沟道， 4.75V至30V / 3.3V至10V ， SSOP -16封装
三个N沟道驱动器， 6V至28V ， SSOP -36封装
N通道， 0V至18V ，UV ， OV ， MSOP -12和DFN- 12封装
双N通道， 0V至18V ， MSOP -16和DFN- 16封装
双N沟道， -4.5V至-80V ， SO -8和DFN -8封装
双N沟道， 9V至80V ， SO -16和DFN- 14封装
N沟道， 9V至80V ，采用MSOP- 8和DFN - 6封装
内部N沟道， 9V至26.5V ， TSSOP -16和DFN- 14封装
内部P沟道， 2.6V至5.5V ， 40μA我
Q
SOT- 23封装
P沟道， 2.5V至28V / 36V ， 11μA我
Q
SOT- 23封装
双P沟道， 2.5V至5.5V ， DFN -10封装
P沟道， 3V至36V ， 30μA我
Q
， MSOP - 8封装
双P沟道50mΩ的理想二极管， 1.7V至5.5V ， 15mV的正向
降， MSOP -16和DFN- 16封装
双P沟道， 3.6V至36V ， 70μA我
Q
， MSOP -10封装
低损耗PowerPath控制器采用ThinSOT
双2.6A ， 2.5V至5.5V ，理想二极管采用DFN - 10
36V低损耗PowerPath控制器大
P沟道MOSFET
双通道4A理想二极管具有可调电流限制
36V低损耗双的PowerPath控制器大
P沟道MOSFET
4370f
20
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