LTC4370
应用信息
在无负载电流差分输入的电压
年龄至误差放大器是零并且在COMP电流
g
M（ EA ）
V
EA （OS）的
。在共享可以启动，在COMP
电压有杀对0.7V的工作点
（当V
IN1
＆ LT ; V
IN2
）或1.24V （V
IN1
＆ GT ; V
IN2
） 。这个延迟是
由差动输入信号到该错误确定
放大器（它是ΔV
OUT
= OUT1 - OUT2 = （I
1
I
2
) R
S
),
其克
m
和COMP电容值。取决于如何
融合前分裂的电流，延迟可能会有所不同
从1至5倍：
C
C
ΔV
COMP
g
M（ EA ）
I
L
R
S
图4a示出的情况下，其中一个5.1V V
IN1
打开
上，而V
IN2
是在4.9V供电10A 。最初， COMP
由于ΔV被辱骂低到0.1V
OUT
(I
2
R
S
）为负时，
并需要上升到1.24V作为最终V
IN1
高于
V
IN2
。随着V
IN1
关， ΔV
IN
大，负，导致
第二电源V的正向调节电压
FR2
要
折回至最小V
帧中继（MIN）
（左起旅行
到右在图2a）。由于ΔV
IN
幅度减小，
V
FR2
上升到最大V
帧中继（MAX）中
，降低了我
2
和
负载电压。 COMP约为0.7V时， V
FR2
是是
调整。当补偿达到1.24V ，V
FR2
被保持在
最小和V
FR1
调整适当补偿
为ΔV的0.2V
IN
。分享关闭是顺畅的
其中，诉
IN1
＆ LT ; V
IN2
因为COMP只需杀
到0.7V降低V
FR2
（图4b） 。
I
2
当前
5A/DIV
I
1
V
IN1
= 5.1V
V
IN2
= 4.9V
I
L
= 10A
MOSFET选择
该LTC4370驱动N沟道MOSFET，以进行
负载电流。 MOSFET的重要参数
是它的最大漏源电压BV
DSS
最大
栅极 - 源极电压V
GS （ MAX）
上，电阻R
DS （ ON）
和
最大功率耗散P
D（最大）
.
如果一个输入端被连接到地，所述全供电电压
可以出现在整个MOSFET 。生存之本，在BV
DSS
必须比电源电压更高。在V
GS （ MAX）
MOSFET的额定值不能超过14V自认为是
内部栅极至V的上限
IN
钳。
为了获得最大的共享捕捉范围时，R
DS （ ON）
应该是足够低的伺服放大器，调节
MOSFET两端的正向最小调节电压
而它的导电半负载电流。如果不能，
栅极电压将铁轨高。因此，则R
DS （ ON）
价值
在MOSFET数据表中应该抬起头来的10V或
4.5V栅极驱动依赖于V
IN
电压。自从
输出电压相等，断点的确切共享
在较高的R
DS （ ON）
情况是：
ΔV
IN（ SH ）
= V
帧中继（MAX）中
– 0.5I
L
R
DS （ ON）
(2)
I
2
当前
5A/DIV
I
1
V
IN1
= 4.9V
V
IN2
= 5.1V
I
L
= 10A
OUT
电压
2V/DIV
V
IN1
电压
2V/DIV
OUT
COMP
(1V/DIV)
V
IN1
COMP
(0.5V/DIV)
25ms/DIV
4370 F04a
25ms/DIV
4370 F04B
（ 4A ）V
IN1
＆ GT ; V
IN2
图4.启动共享在V
IN1
开启
（ 4B ）V
IN1
＆ LT ; V
IN2
4370f
11
