LTC4365
应用信息
在V门极驱动图2突出的依赖
IN
和V
OUT
。当系统第一次接通电源上（SHDN
从低到高，V
OUT
= 0V ） ，栅极驱动器处于最大值的所有
V的值
IN
。这有助于防止启动时进入的问题
在重负载，确保有足够的栅极驱动器
以支持负载。
为V
OUT
从0V斜升，在GATE的绝对值
电压保持不变，直到V
OUT
大于下
（五
IN
-1V ）或6V 。一旦V
OUT
越过这道门槛，
栅极驱动器开始增加最多9.8V的
（对于V
IN
≥ 12V ） 。图2的曲线选取用
-1μA的栅极负载。如果有对GATE无负载时，
每个10V栅极驱动器
IN
会略高。
需要注意的是当V
IN
是指在工作的下端
范围内时，外部的N沟道MOSFET ，必须选择
与对应的下阈值电压。
12
10
8
ΔV
门
(V)
6
4
2
0
0
V
IN
= 12V
V
IN
= 5V
V
IN
= 3.3V
V
IN
= 2.5V
3
6
9
V
OUT
(V)
12
15
4365 F02
4365 F03
过压和欠压保护
该LTC4365提供两个比较准确的来监控
器过压（ OV ）和欠压（ UV）状况
在V
IN
。如果输入电压上升时，用户可调节上方
OV阈值时，外部MOSFET的栅极被迅速
关断，从而切断从输入的负载。
同样，如果电源输入电压下降低于用户调整
能够UV阈值时，外部MOSFET的栅极也
快速关闭。图3示出一个欠压/过压应用
对于12V的输入电源。
LTC4365
UV
比较
12V
R3
1820k
UV
TH
= 3.5V
V
IN
R2
243k
中T = 25℃
I
门
= –1μA
V
IN
= 30V
OV
TH
= 18V
R1
59k
0.5V
OV
0.5V
–
图3. UV，OV比较器监视12V电源
图2.栅极驱动（ GATE - V
OUT
）与V
OUT
表1列出了兼容一些外部MOSFET
不同的V
IN
电源电压。
表1.双MOSFET，适用于各种供应范围
V
IN
2.5V
3.3V
5V
≤30V
≤60V
MOSFET
SiB914
Si5920
Si7940
Si4230
Si9945
V
TH （最大）
0.8V
1.0V
1.5V
3.0V
3.0V
V
GS （ MAX）
5V
5V
8V
20V
20V
V
DS （ MAX）
8V
8V
12V
30V
60V
外部电阻分压器允许用户选择
输入电压范围是与负载相兼容
V
OUT
。此外， UV和OV输入具有非常低的
漏电流（通常< 1nA的在100℃下） ，允许
在外部电阻分压器较大的值。在应用
图3的灰，负载被连接到仅在供给
V
IN
3.5V和18V之间。在事件使V
IN
云
以上18V或低于3.5V时，外部N沟道的栅极
MOSFET被立即排出与一个50毫安的电流
下沉，从而隔离从电源的负载。
+
OV
比较
–
25mV
卸料门
与50mA电流吸收
UV
+
25mV
4365f
9
