LTC4365
应用信息
瞬变期间OV故障
图14的电路中，用于显示的瞬变
在过压条件。标称输入电压
为24V ，并具有30V的过压阈值。该
寄生电感，一个1英尺线（约300nH ）的。
图15的过电压中示出的波形
条件在V
IN
。这些瞬变取决于寄生
电感和导线的电阻随着钙
pacitance在V
IN
节点。 D1是一个可选的电源钳位
（ TVS ， Tranzorb ）推荐的应用场合
直流输入电压可以超过24V ，并与V大
IN
寄生电感。没有夹子用来捕捉
图15的波形，为了保持逆向供应
保护时，D1必须是双向钳位额定为在
至少225W峰值脉冲功率耗散。
12英寸线
长
SI9945
60V
MOSFET选择
以防止在V的负电压
IN
时，外部
N沟道MOSFET必须在一个背用于─被构造
回安排。双N沟道包是这样的
最好的选择。该MOSFET是基于其功率选择
处理能力，漏极和栅极击穿电压
和阈值电压。
漏极到源极的击穿电压必须高于
比预期的V之间的最大电压
IN
和
V
OUT
。注意，如果一个应用程序产生的高能量
在正常运行或在热插拔瞬变，
外部MOSFET必须能够承受此
瞬态电压。
由于电荷泵的高阻抗性质
驱动GATE引脚，总泄漏的GATE引脚必须
保持较低。分别测定了图2的栅极驱动器的曲线
与GATE引脚一个1μA的负载。因此，该泄漏
在GATE引脚必须不超过1μA更大，以
匹配图2.更高漏电流的曲线会
导致更低的栅极驱动器。双N沟道MOSFET
在表1所示的所有具有最大栅极泄漏电流
租金为100nA的。另外，表1列出了代表性的
的MOSFET ，将工作在V的不同值
IN
.
布局的注意事项
V
IN
24V
V
OUT
+
C
IN
1000μF
M1
门
LTC4365
SHDN
UV
R2
2370k
OV
R1
40.2k
M2
+
C
OUT
100μF
9Ω
V
IN
R3
100k
D1
可选
V
OUT
故障
OV = 30V
GND
4365 F14
图14. OV故障大V
IN
电感
门
V
OUT
20V/DIV
V
OUT
门
GND
在V之间的走线长度
IN
引脚和的漏
外部MOSFET应该被最小化，以及所述
之间的LTC4365的GATE引脚和迹线长度
外部MOSFET的栅极。
放置在V旁路电容
OUT
尽可能接近
向外部MOSFET 。使用高频陶瓷
除了大容量电容器的电容，以减轻热
交换振铃。置于最接近所述高频电容器
到MOSFET 。需要注意的是大电容减少振铃
凭借自己的ESR 。陶瓷电容具有低ESR
因此，可以环附近的共振频率。
V
IN
20V/DIV
GND
I
IN
2A/DIV
250ns/DIV
4365 F15
0A
图15.在瞬态过压故障时无
Tranzorb （ TVS ）被使用
4365f
14
