LTC4365
应用信息
选择两个输入电源之间
在关断时， V部分
IN
和V
OUT
引脚可
由独立的电源驱动。该LTC4365则
自动驾驶正下方的较低的GATE引脚
两个电源，从而关闭外部背到背
的MOSFET。图11的应用程序使用两个LTC4365s
两路电源之间进行选择。应注意
确保只启用其中的两个LTC4365s的
在任何给定的时间。
V1
M1
M2
限制浪涌电流在接通期间
该LTC4365接通外部N沟道MOSFET
以20μA电流源。最大压摆率
GATE引脚可以通过增加一个电容器来减小
GATE引脚：
压摆率
=
20A
C
门
由于MOSFET的作用就像一个源极跟随器，该转换
速度V
OUT
等于压摆率在门口。
因此，浪涌电流由下式给出：
C
OUT
20A
C
门
V
IN
SHDN
门
LTC4365
V
OUT
OUT
I
侵入
=
SEL OUT
0
V1
1
V2
V2
M1
M2
例如，图1A的浪涌电流至330μF输出
电容需要的栅极电容：
C
门
=
20μA
OUT
I
侵入
20μA 330μF
=
6.6nF
1A
V
IN
SEL
SHDN
门
LTC4365
V
OUT
4365 F11
图11.选择一个两用品
C
门
=
单个MOSFET的应用
当倒V
IN
不需要保护，只有一个单一的
外部N沟道MOSFET是必要的。该应用程序
图12中的灰电路连接负载到V
IN
当
V
IN
小于30V，并且使用该组外部的最小
组件。
V
IN
24V
SI7120DN
60V
V
OUT
该6.8nF
门
电容器中的应用电路
图13将浪涌电流限制到约1A 。
R
门
可以确保
门
不影响快速门
在UV / OV故障关闭特性，或在
倒V
IN
连接。 R4A和R4B帮助预防高
频率振荡与外部N沟道MOSFET
和相关的电路板寄生。
V
IN
M1
R4A
10Ω
R4B
10Ω
M2
+
V
IN
门
LTC4365
SHDN
UV
R2
2370k
OV
R1
40.2k
OV = 30V
GND
4365 F12
C
OUT
100μF
+
V
OUT
C
OUT
330μF
V
OUT
故障
V
IN
门
LTC4365
V
OUT
R
门
5.1k
C
门
6.8nF
4365 F13
图13.限制浪涌电流用C
门
图12.小型单MOSFET的应用
防止60V
4365f
13
