LTM9012
应用信息
睡眠和打盹模式
A / D转换可放置在睡眠或打盹模式，以节省
力。在睡眠模式下，整个芯片断电，重新
质保的义务在3mW的功耗。睡眠模式启用
通过模式控制寄存器A1 （串行编程模式） ，
或由SDI（并行编程模式）。的量
所需时间从睡眠模式恢复依赖于
对伏旁路电容的尺寸
REF
， REFH和REFL 。
对于内部的电容值，并没有额外的外部
电容， A / D转换会后， 2ms的稳定。
在打盹模式下的A / D通道的任意组合可
断电而内部参考电路和
PLL保持活跃，从而实现更快的唤醒比睡眠
模式。从休眠模式中恢复至少需要100
时钟周期。如果应用程序要求非常精确的DC
稳定时间，然后一个额外的50微秒应该允许这样的
片内基准可以从轻微的温度定居
移位引起的供电电流的A / D的变化
叶打盹模式。打盹模式由模式控制启用
在串行编程模式寄存器A1 。
驱动放大器关断（SHDN ）
该ADC驱动器可置于关断模式，以
从ADC内核单独降低功耗。每
ADC驱动器具有独立的
SHDN
销，但预期
所有4将被捆绑在一起。
器件编程模式
在LTM9012的操作模式可以被编程
无论是通过并行接口或一个简单的串行接口。
串行接口具有更大的灵活性和罐程序
所有可用的模式。并行接口较为有限
并且只能进行编程的一些更常用
模式。
并行编程模式
使用并行编程模式， PAR / SER应
连接到V
DD
。该
CS ，
SCK ， SDI和SDO引脚是二进制
逻辑输入，设定一定的操作模式。这些引脚
可以连接到V
DD
或接地，或驱动由1.8V，2.5V ，或
3.3V CMOS逻辑。当作为输入使用时，SDO应
通过一个1K串联电阻驱动。表3示出了
通过模式设置
CS ，
SCK ， SDI和SDO 。
表3.并行编程模式控制位
（ PAR / SER = V
DD
)
针
CS
描述
2巷/ 1 -里选择位
0 = 2车道， 16位序列号输出模式
1 = 1巷， 14位序列号输出模式
LVDS当前选择位
0 = 3.5毫安LVDS电流模式
1 = 1.75毫安LVDS电流模式
掉电控制位
0 =正常运行
1 =睡眠模式
内部端接选择位
0 =内部终端禁用
1 =内部启用终端
SCK
SDI
SDO
串行编程模式
要使用串行编程模式， PAR / SER应
接地。该
CS ，
SCK ， SDI和SDO引脚成为
串行接口进行编程的A / D模式控制寄存器。
数据被写入一个寄存器具有16位串行字。数据
也可以从寄存器读回以验证它的内容。
串行数据传输开始时，
CS
被拉低。数据
对SDI引脚被锁在第一个连接16上升沿
SCK 。在网络连接之后，任何SCK的上升沿首先16顷忽略。
在数据传输结束时
CS
被拉高了。
16位输入字的科幻RST位为R / W位。该
接下来的7位是寄存器的地址（ A6 ： A0 ） 。
最后8位是寄存器的数据（ D7 ： D0 ） 。
如果R / W位为低电平时，串行数据（D7 ：D0 ）将被写入
10由地址位（ A6 ：A0）设定的寄存器。如果
R / W位为高电平时，由地址位设置在寄存器中的数据
（ A6 ： A0 ）将被读回的SDO引脚（见时机
图段） 。在读回命令
寄存器不被更新，并在SDI数据被忽略。
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