飞利浦半导体
PMWD30UN
双
μTrenchMOS
超低水平FET
1
VGS （ TH）
(V)
0.8
典型值
03aj65
10-3
ID
(A)
10-4
03aj64
0.6
民
民
0.4
10-5
0.2
典型值
0
-60
0
60
120
TJ （
°
C)
180
10-6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VGS （ V）
I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
T
j
= 25
°C;
V
DS
= 5 V
图9，栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温。
图10，子阈值漏电流的函数
栅极 - 源极电压。
104
C
（PF ）
003aaa279
4
IS
(A)
3
003aaa280
103
西塞
150
°C
2
科斯
CRSS
102
T
j
= 25
°C
1
10
10-1
1
10
2
VDS （ V） 10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD （V）的
V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
T
j
= 25
°C
150
°C;
V
GS
= 0 V
图11.输入，输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
值。
图12.来源（二极管的正向）的电流的一个函数
源极 - 漏极（二极管的正向）电压;典型
值。
9397 750 10835
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产品数据
版本01 - 2003年1月22日
7 12
