飞利浦半导体
PMWD30UN
双
μTrenchMOS
超低水平FET
4
ID
(A)
3
4.5 V
VGS = 1.3 V
003aaa276
8
ID
(A)
6
003aaa277
1.2 V
2
4
T
j
= 150
°C
25
°C
1
1.1 V
2
1.0 V
0
0
0.5
1
1.5
VDS （ V）
2
0
0.0
0.5
1.0
1.5
VGS （ V）
2.0
T
j
= 25
°C
T
j
= 25
°C
150
°C;
V
DS
＆ GT ;
I
D
×
R
DSON
图5.输出特性：漏极电流为
漏极 - 源极电压的函数;典型值。
图6.传输特性：漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值。
100
RDSON
(m)
1.2 V
75
003aaa278
2
a
1.5
03aa27
50
1.3 V
1
25
4.5 V
0
0
1
2
VGS = 1.8 V
2.5 V
0.5
0
3
ID （ A） 4
-60
0
60
120
TJ （ ° C）
180
T
j
= 25
°C
R
DSON
a
=
-----------------------------
-
R
DSON
(
25°C
)
图8.归漏源导通电阻
因子作为结温的函数。
图7.漏源导通电阻的函数
漏电流;典型值。
9397 750 10835
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产品数据
版本01 - 2003年1月22日
6 12
