PMWD30UN
双
μTrenchMOS
超低水平FET
M3D647
版本01 - 2003年1月22日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
双N沟道增强型网络场效果的塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS 技术。
产品可用性:
PMWD30UN在SOT530-1 ( TSSOP8 ) 。
1.2产品特点
s
表面安装封装
s
门槛非常低
s
低廓
s
快速切换。
1.3应用
s
便携式电器
s
电池管理
s
PCMCIA卡
s
负载开关。
1.4快速参考数据
s
V
DS
≤
30 V
s
P
合计
≤
2.3 W
s
I
D
≤
5 A
s
R
DSON
≤
33 m
2.管脚信息
表1:
针
1
2,3
4
5
6,7
8
穿针 - SOT530-1 ,简化的外形和符号
描述
drain1 ( d1)的
源1 ( S1 )
GATE1 g1内
GATE2 ( g2的)
source2中( s2中)
drain2 ( d2)中
1
顶视图
4
MBK885
简化的轮廓
8
5
符号
d1
d2
s1
g1
s2
g2
MSD901
SOT530-1
飞利浦半导体
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超低水平FET
3.极限值
表2:
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
漏极 - 源极电压(直流)
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流( DC )
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源(二极管的正向)直流(DC )笔
sp
= 25
°C
峰源(二极管正向)电流T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
T
sp
= 25
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
和
3
T
sp
= 100
°C;
V
GS
= 4.5 V;
图2
T
sp
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
sp
= 25
°C;
图1
条件
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C
25
°C ≤
T
j
≤
150
°C;
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
最大
30
30
±10
5
3
18
2.3
+150
+150
2
7
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
源极 - 漏极二极管
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120
PDER
(%)
80
03aa17
120
伊德尔
(%)
80
03aa25
40
40
0
0
50
100
150
TSP ( ° C)
200
0
0
50
100
150
200
TSP (
°
C)
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
4.5 V
I
D
I
DER
=
-------------------
×
100%
I
°
D
(
25 C
)
看图1,归一化的总功耗为
功能的焊料点的温度。
图2.归连续漏极电流为
功能的焊料点的温度。
102
ID
(A)
10
1毫秒
10毫秒
1
100毫秒
DC
1s
10-1
003aaa274
限制导通电阻= VSD / ID
TP = 10微秒
10-2
10-1
1
10
VDS ( V)
102
T
sp
= 25
°C;
I
DM
是单脉冲
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3:
R
日(J -SP )
R
号(j -a)的
热特性
条件
图4
最小的足迹;
安装在印刷电路板
最小典型最大
-
-
55
70
100 -
单位
K / W
K / W
从结热阻到焊点
从结点到环境的热阻
符号参数
4.1瞬态热阻抗
102
第Z (J -SP )
(K / W)
003aaa275
δ
= 0.5
0.2
10
0.1
0.05
0.02
1
单脉冲
P
δ
=
tp
T
tp
T
10-
1
10-4
10-
3
10-
2
10-
1
1
10
TP (多个)
t
10
2
图4.瞬态结点的热阻抗焊接点,作为脉冲持续时间的函数。
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