PolarHV
TM
HiPerFET
功率MOSFET
N沟道增强模式
快速内在二极管
额定雪崩
IXFH 22N60P
IXFV 22N60P
IXFV 22N60PS
V
DSS
= 600
V
I
D25
= 22
A
R
DS （ ON）
≤
350 m
t
rr
≤
200纳秒
TO- 247 （ IXFH ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
安装力矩
安装力
(TO-247)
(PLUS220)
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
Tranisent
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 4
T
C
= 25° C
最大额定值
600
600
±30
±40
22
66
22
40
1.0
20
400
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
G
S
D（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
G
D
S
G
D
D（ TAB ）
S
PLUS220 （ IXFV ）
D（ TAB ）
PLUS220SMD （ IXFV ... S）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
11..65/2.5..15
牛米/磅。
6
4
g
g
TO-247
PLUS220 & PLUS220SMD
G =门
S =源
符号
测试条件
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
3.0
5.5
±100
25
250
350
V
V
nA
A
A
m
特点
l
快速内在二极管
l
非钳位感应开关（ UIS）
评级
l
国际标准封装
l
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
l
节省空间
l
高功率密度
l
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
2006 IXYS所有权利
DS99315E(03/06)
