IXFH 22N60P IXFV22N60P
IXFV 22N60PS
图。 7.输入上将ittance
30
27
24
30
27
24
T
J
= -40
C
25
C
125
C
图。 8.跨导
I
D
- 安培
18
15
12
9
6
3
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
- 西门子
fs
21
21
18
15
12
9
6
3
0
0
g
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V
的s
- V OLTS
图。 9.酸CE姜黄素重新NT VS 。
来源 - 要漏V oltage
70
60
50
10
9
8
7
V
DS
= 300V
I
D
= 11A
I
G
=一千万
I
D
- 一个mperes
图。 10.门戈字符
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
C
0.8
0.9
1
1.1
40
30
20
10
0
0.4
0.5
0.6
0.7
6
5
4
3
2
1
0
T
J
= 125
C
V
S.D。
- V OLTS
图。 11.电容
10000
F = 1MH
国际空间站
100
0
10
20
30
40
50
60
Q
G
- nanocoulombs
图。 12.瓦特ARD偏置
安全启运是一个
R
DS （ ON）
LIM它
电容 - 皮法
OSS
I
D
- 安培
1000
25s
100s
1米s
10米s
10
100
RS s
T
J
= 150C
T
C
= 25C
DC
10
0
5
10
15
1
V
S
- V OLTS
20
25
30
35
40
10
100
1000
V
S
- V OLTS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
