IXFH 22N60P IXFV22N60P
IXFV 22N60PS
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
15
20
3600
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
305
38
20
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 4
（外部）
20
60
23
58
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
20
22
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.31
°
C / W
0.21
°
C / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。典型值。马克斯。
22
66
1.5
200
1.0
A
A
V
ns
C
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
1.65
2.13
b
1
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
PLUS220 （ IXFV ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 26A
-di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0 V
PLUS220SMD （ IXFV_S ）大纲
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXFH 22N60P IXFV22N60P
IXFV 22N60PS
图。 1.输出Characte RIS抽动
@ 25
C
22
20
18
16
V
GS
= 10V
8V
45
40
35
30
7.5V
V
GS
= 10V
9V
8V
7.5V
图。 2. EXTE NDE D输出Characte RIS抽动
@ 25
C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
25
20
15
10
6.5V
6V
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
7V
7V
6V
5
0
7
8
9
V
S
- V OLTS
图。 3.输出Characte RIS抽动
@ 125
C
22
20
18
16
V
GS
= 10V
8V
7V
3.4
3.1
V
GS
= 10V
V
S
- V OLTS
图。 4.
DS （上
)
规范艾莉婕d可我
D
= 11A
价值VS 。结テ米PE叉涂抹
R
S（O N）
- 归
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I
D
= 11A
I
D
= 22A
I
D
- 安培
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
5.5V
5V
8
10
12
14
16
18
20
6V
6.5V
V
S
- V OLTS
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
- 摄氏
图。 6.漏Curre NT VS 。 CAS ê
TE米PE叉涂抹
24
图。 5.
DS （ ON）
也不米艾莉婕d可
I
D
= 11A价值VS 。艾因币种博士鄂西北
3
2.8
2.6
V
GS
= 10V
T
J
= 125
C
20
16
R
S（O N）
- 归
2.4
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
5
10
15
T
J
= 25
C
I
D
- 安培
2.2
12
8
4
0
I
D
- 一个mperes
20
25
30
35
40
45
-50
-25
T
C
- 摄氏
0
25
50
75
100
125
150
2006 IXYS所有权利
IXFH 22N60P IXFV22N60P
IXFV 22N60PS
图。 13.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗
1.00
R
T H， J·C
-
C / W
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2006 IXYS所有权利
IXYS REF ： T_22N60P （ 6J ） 06年2月17日-B
QQ：2880707522 复制
