高级技术信息
GigaMOS
TM
TRENCH
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFN420N10T
R
DS （ ON）
≤
≤
t
rr
V
DSS
I
D25
=
=
100V
420A
2.3mΩ
Ω
140ns
miniBLOC ， SOT- 227
E153432
S
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L（ rms）的
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
V
ISOL
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ° C（芯片功能）
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
175°C
T
C
= 25°C
最大额定值
100
100
±20
±30
420
200
1000
100
5
20
1070
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
V
A
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
V~
V~
纳米/ lb.in 。
纳米/ lb.in 。
g
G
S
D
G =门
S =源
D =漏
无论源终端S能用作
源终端或开尔文源
（回门）码头。
特点
国际标准套餐
miniBLOC ，用氮化铝
隔离
隔离电压2500
V~
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS （ ON）
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
50/60赫兹， RMS
I
ISOL
≤
1mA
T = 1分钟
吨= 1秒
300
260
2500
3000
1.5/13
1.3/11.5
30
安装力矩
终端连接扭矩
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
100
2.5
5.0
±200
V
V
nA
50
μA
5毫安
2.3 mΩ
同步Recification
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
DS100199(09/09)
2009 IXYS公司，版权所有
