IXFN420N10T
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.05
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100A
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 10V ，我
D
= 60A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
110
185
47
4390
530
1.46
47
155
115
255
670
170
195
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.14
° C / W
° C / W
（ M4螺钉（ 4X ）提供）
SOT- 227B （ IXFN ）大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 60A ，V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 150A ，V
GS
= 0V
-di / DT = 100A / μs的
V
R
= 60V
0.38
7.00
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
420
1680
1.2
A
A
V
140纳秒
μC
A
注1.脉冲检验，t
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价，基于先前的知识和经验，并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利，测试
条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXFN420N10T
图。 7.输入导纳
180
160
140
120
250
25C
350
T
J
= - 40C
300
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
100
80
T
J
= 150C
25C
200
150
100
50
0
150C
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
- 40C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
350
300
250
图。 10.栅极电荷
10
9
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 210A
I
G
= 10毫安
I
S
- 安培
200
150
T
J
= 150C
100
T
J
= 25C
50
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
100
200
300
400
500
600
700
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100.0
10,000
图。 12.正向偏置安全工作区
T
J
= 175C
电容 - 纳法
西塞
10.0
R
DS （ ON）
极限
1,000
25s
T
C
= 25C
单脉冲
I
D
- 安培
科斯
1.0
100
外部引线限制
100s
10
1ms
f
= 1兆赫
0.1
0
5
10
15
20
25
CRSS
DC
1
10ms
100ms
100
1,000
30
35
40
1
10
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_420N10T （ 9V ） 09年9月22日
QQ：2881677436 复制
