IXFN420N10T
图。 7.输入导纳
180
160
140
120
250
25C
350
T
J
= - 40C
300
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
100
80
T
J
= 150C
25C
200
150
100
50
0
150C
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
- 40C
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
350
300
250
图。 10.栅极电荷
10
9
8
7
V
DS
= 50V
I
D
= 210A
I
G
= 10毫安
I
S
- 安培
200
150
T
J
= 150C
100
T
J
= 25C
50
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
100
200
300
400
500
600
700
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100.0
10,000
图。 12.正向偏置安全工作区
T
J
= 175C
电容 - 纳法
西塞
10.0
R
DS （ ON）
极限
1,000
25s
T
C
= 25C
单脉冲
I
D
- 安培
科斯
1.0
100
外部引线限制
100s
10
1ms
f
= 1兆赫
0.1
0
5
10
15
20
25
CRSS
DC
1
10ms
100ms
100
1,000
30
35
40
1
10
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_420N10T （ 9V ） 09年9月22日
