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650V的CoolMOS CFD功率晶体管
IPx65R660CFD
电气特性
表8
参数
栅极电荷特性
符号
分钟。
值
典型值。
3.5
12
22
6.4
马克斯。
-
-
-
-
V
nC
-
-
-
-
单位
注意： /
测试条件
IGATE为源电荷
栅漏电荷
栅极电荷总量
栅极电压平台
表9
参数
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
Q
gs
Q
gd
Q
g
V
高原
V
DD
=480 V,
I
D
=3.2 A,
V
GS
= 0到10伏
反向二极管特性
符号
分钟。
值
典型值。
0.9
65
0.20
4.5
马克斯。
-
-
-
-
V
ns
C
A
-
-
-
-
单位
注意： /
测试条件
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
V
GS
=0 V,
I
F
=3.2 A,
T
j
=25 °C
V
R
=400 V,
I
F
=3.2 A,
d
i
F
/d
t
= 100 A / μS
最终数据手册
7
2.0版本， 2011-02-01
