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650V的CoolMOS CFD功率晶体管
IPx65R660CFD
电气特性图
表18
典型值。电容
典型值。
C
OSS
储能
C = F（V
DS
);
V
GS
=0 V;
f=1
兆赫
表19
反向二极管的正向特性
E
OSS
= F（V
DS
)
I
F
= F（V
SD
） ;参数：
T
j
最终数据手册
12
2.0版本， 2011-02-01
