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650V的CoolMOS CFD功率晶体管
IPx65R660CFD
电气特性图
表16
典型值。传输特性
典型值。栅极电荷
I
D
= F（V
GS
);
V
DS
=20V
表17
雪崩能量
V
GS
= F （Q
门
),
I
D
= 3.2的脉冲
漏源击穿电压
E
AS
= F （T
j
);
I
D
=1.2 A;
V
DD
=50 V
V
BR （ DSS ）
= F （T
j
);
I
D
= 1.0毫安
最终数据手册
11
2.0版本， 2011-02-01
