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ADP3189
使用带有6 mΩ的ESR典型值10 560 μF铝电容器聚
每产生
X
= 5.6 μF的的R
X
= 0.6 mΩ.
最后一次检查应保证的的ESL
大容量电容（L
X
）足够低，以限制高频
负载变化时响起。
这是通过使用测试
L
x
≤
C
z
×
R
O 2
×
Q
2
L
x
≤
180 μF
×
(
1 mΩ
)
2
×
4
=
240 pH值
3
(19)
对于同步MOSFET的另一个重要因素是
输入电容和反馈电容。的比率
反馈到输入必须是小的（小于10％是中建议
修补） ，以防止意外的开启同步的
当MOSFET的开关节点变为高电平。
而且，时间到关断开关的同步MOSFET应
不超过MOSFET驱动器的非重叠死区时间
（ 40 ns典型的ADP3120 ） 。的输出阻抗
驱动程序是约2 Ω ，典型的MOSFET的栅极输入
电阻约为1 Ω 2 Ω ，所以，总栅极电容
不到6000 pF的，应遵守。因为有两个
并联的MOSFET ，输入电容为每个同步
MOSFET应限于3000 pF的。
高侧（主） MOSFET具有能够处理两个
主要功耗部件：导通和开关
损失。开关损耗与时间量之
需要对主MOSFET开启和关断，并以
电流和电压的正被切换。立足开关
速度在上升和下降的栅极驱动器阻抗的时间和
MOSFET的输入电容，下式提供
每主MOSFET的开关损耗的近似值，
哪里
n
MF
是主要的MOSFET的总数量：
P
S
(
MF
)
=
2
×
f
SW
×
V
CC
×
I
O
n
MF
×
R
G
×
哪里
Q
2
被限制为
4
/
3
为确保临界阻尼系统。
在本实施例中，L
X
大约240 pH值十
A1-多边形电容器，其满足了这一限制。如果设置了L
X
所选择的大容量电容器组过大，数
陶瓷电容器，可能需要增加或降低ESL原液
使用，如果有在负载瞬态期间过度冲。
对于这种多模式控制技术，全瓷的设计可以
可使用能够公式16 ，公式17的条件下，
式（18） ，和公式19是满意的。
功率MOSFET
对于本例中， N沟道功率MOSFET已
选择一个高侧开关和每两个低侧开关
阶段。主要选择参数为功率MOSFET
是V
GS （ TH）
, Q
G
, C
国际空间站
, C
RSS
和R
DS （ ON）
。最小栅极驱动
电压（电源电压的ADP3120 ）决定是否
标准阈值或逻辑电平的阈值的MOSFET必须
使用。随着V
门
10 V ，逻辑电平MOSFET的阈值
(V
GS （ TH）
< 2.5V）被推荐。
最大输出电流（I
O
）确定第r
DS （ ON）
要求低边（同步）的MOSFET。同
该ADP3189 ，电流之间的相位平衡，从而
电流在每个低侧MOSFET的输出电流分成
由MOSFET的总数量（n
SF
） 。与导通损耗
占优势，下面的表达式表示的总功率
消散在每一个同步MOSFET中的条款
每相的纹波电流（I
R
）和平均总输出电流（I
O
):
n
MF
×
C
国际空间站
n
(21)
哪里
R
G
是总栅极电阻（ Ω 2的ADP3120和
约1 Ω典型的高速开关MOSFET ，使
R
G
= 3 Ω ） ，以及
C
国际空间站
是主MOSFET的输入电容。
添加更多的主MOSFET的（N
MF
）不利于开关
每个MOSFET的损失，由于附加栅极电容减缓
切换。使用较低的栅极电容的设备，以减少
开关损耗。
主MOSFET的导通损耗是由给定的
下面，在那里
R
DS （ MF ）
是MOSFET的电阻：
P
C
(
MF
)
I
=
D
×
O
n
MF
1
n
×
I
R
+
×
12
n
MF
2
2
×
R
DS
(
MF
)
(22)
P
SF
I
=
(
1
D
)
×
O
n
SF
1
N I
R
+
×
12
n
SF
2
2
×
R
DS
(
SF
)
(20)
知的最大输出电流被设计为与
所允许的最大功率耗散，用户可以找到
所需的R
DS （ ON）
为MOSFET 。对于D- PAK MOSFET的最多
环境温度为50℃ ，用于P安全极限
SF
是1瓦至
在120℃的结温1.5瓦。因此，在这个例子
（ 119最大） ，R
DS （ SF ）
（每个MOSFET ） < 7.5毫欧。该R
DS （ SF ）
也是在约120 ℃的结温，所以一定要
在进行选择时，考虑到这一点。这个例子使用
两个下侧MOSFET在4.8毫欧，每120
°
C.
通常情况下，对于主MOSFET时，最高速度（低C
国际空间站
)
装置是优选的，但这些通常对电阻高。
选择满足总功率耗散（约一个设备
1.5 W代表一个单一的D- PAK ）当组合开关和
传导损耗。
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