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ADP3189
图14和图15示出了典型的瞬态响应
使用这些补偿值。
电容器制造商的额定纹波电流通常是
基于只有2000小时的寿命。由此，可取的
进一步减免电容还是要选择额定电压为一个电容
温度高于所需。多个电容器可
平行放置，以满足在大小或高度要求
设计。在这个例子中，输入电容器组由形成
2 2700 μF ，16V的铝电解电容器，和八
4.7 μF陶瓷电容。
以降低输入电流的di / dt到时建议的水平以下
谁料最大0.1 A /微秒，一个额外的小型电感器
（L > 370 nH的18 A） ，应在转换器之间插入
和电源总线。这个电感器也充当之间的过滤器
所述转换器和所述主电源。
05626-014
热监控设计
热敏电阻是用来对ADP3189的输入TTSENSE
用于监视VR的温度。恒流
120 μA来源是从这个引脚通过一个热敏电阻运行
器网络，例如，在图16中所示。
ADP3189
VRFAN
8
图14.典型瞬态响应设计实例
负载阶跃
VRHOT
9
TTSENSE
10
可选
温度
调整
电阻器
PLACE热敏电阻
接近最近阶段
05626-015
0.1
05626-016
R
TTSENSE
图16. VR温度监控电路
图15.典型瞬态响应设计实例负载释放
C
IN
选择和输入电流
的di / dt还原
在电感电流连续模式时，电源电流
高边MOSFET大约一个方波的占空比
比值等于n ×V
OUT
/V
IN
和一个第n个的振幅
最大输出电流。为了防止大的电压瞬变，
低ESR的输入电容，满足最大均方根电流，
必须使用。最大均方根电容器电流由下式给出
一电压由该电流产生的通过热敏电阻
而察觉到了IC内部。当电压达到1.11 V，则
VRFAN输出被设定。当电压达到0.81 V，则
VRHOT被设置。这对应于R
TTSENSE
9.25 kΩ的值
对于VRFAN和6.75 kΩ的。
这些值对应于 100℃的热敏电阻温度
和 110℃时，使用相同类型的100kΩ的NTC热敏电阻
在当前的读出放大器使用。
一个附加的固定电阻并联的热敏电阻
提供调整的触发点温度相匹配的可热
测试温度在VR中，当热敏电阻本身是直接
感测一个成比例的较低的温度。设置此
电阻值最好用一个可变电阻器来完成
热验证过程，然后修复该值的
最终的设计。
此外，一个0.1 F应当用于滤除噪声。
I
CRMS
=
D
×
I
O
×
1
1
N
×
D
(40)
1
1
=
14.7 A
4
×
0.108
I
CRMS
=
0.108
×
119 A
×
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