FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 - 双4A高速，低侧栅极驱动器
VDD旁路电容指引
为了使该IC打开设备上的很快，当地
高频旁路电容C
BYP
低ESR和
ESL应连接在VDD和GND之间
针以最小的走线长度。该电容器是
除了10μF至47μF大容量电解电容
在驱动器和控制器的偏置电路中常见的。
一个典型的准则选择C的值
BYP
是
保持纹波电压在V
DD
供应
≤5%.
这
通常与一个值来实现
≥20
倍，等效
负载电容C
EQV
，此处定义为Q
门
/V
DD
.
0.1μF的陶瓷电容1μF或更大的
常见的选择，因为是电介质，如X5R和
X7R具有良好的温度特性和高
脉冲电流的能力。
如果电路的噪声会影响正常运行，值
C
BYP
可增加到50100倍了C
EQV
或
C
BYP
可分成两个电容。每个人都应该是一个
较大的值，是根据等效负载电容，并
其它更小的值，如1-10nF装
最接近于VDD和GND引脚携带更高
电流脉冲的频率分量。该
旁路电容器必须提供脉冲电流
两个驱动器的通道，并且如果司机
同时开关，将合并的峰值电流
从C源
BYP
将是两倍大时
单个信道的切换。
该FAN322x与许多其他兼容
工业标准的驱动程序。在单输入零件
使能引脚，内部有一个100kΩ的电阻连接
至VDD ，使默认的驱动程序;这应该
在PCB布局考虑。
导通和关断电流路径应该是
最小化，如以下部分中讨论。
图48示出了脉冲栅极驱动电流路径
当栅极驱动器供给的栅极电荷转动
MOSFET导通。该电流从本地供应
旁路电容C
BYP
，并流过驱动
MOSFET的栅极和接地。为了达到高
峰值电流可能，在电阻和电感
该路径应该被最小化。本地化
BYP
ACTS
含有此的司机中的高的峰值电流脉冲
MOSFET的电路，以防止它们干扰
敏感的模拟电路中的PWM控制器。
V
DD
C
BYP
FAN322x
PWM
V
DS
布局和连接指南
该FAN3223-25家庭栅极驱动器集成
快速反应的输入电路，短的传播延迟，
而强大的输出级能够提供的电流
在图4A的峰值，以便从电压转换时间
在10ns的过度为150ns 。下面的布局和
连接指南，强烈建议：
对于MOSFET图48.电流通路导通
保持高输出电流和功率接地路径
单独的逻辑和使能输入信号和信号
接地路径。这是特别关键的时
处理TTL电平逻辑阈值时驱动程序
输入使能引脚。
保持驱动器尽可能靠近负载尽可能
最小化的高电流迹线的长度。这
降低了串联电感，改善高
高速开关，同时减少了环路面积
可以辐射EMI的驱动器输入和
周围的电路。
如果输入到一个信道是不从外部
连接，内部100kΩ的电阻器表示
上框图指挥一个低电平输出。在嘈杂的
的环境中，可能有必要配合的输入
未使用的通道连接到VDD或GND使用短
迹，以防止噪声引起的误
输出开关。
许多高速功率电路可容易
噪声从自身输出或其它注射
外部资源，可能导致输出的重
触发。这些效果可以是显而易见的，如果
电路设置在电路试验板或者非最佳电路测试
布局与长期投入，启用或输出引线。为
最好的结果，使连接到所有引脚短
而直接越好。
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图49示出了电流通路，当栅极驱动器
关断MOSFET 。理想的情况下，驾驶员并联的
直接电流到MOSFET在一个小的源
电路回路。对于快速关断时间，电阻和
电感在这条道路应尽量减少。
对于MOSFET关断图49.电流路径
2007仙童半导体公司
FAN3223 / FAN3224 / FAN3225 版本1.0.6
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