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EDJ1104BFBG ， EDJ1108BFBG
掉电模式
当CKE登记较低（与NOP或DESL命令）掉电同步输入。 CKE不
允许去低而模式寄存器设置命令， MPR操作， ZQCAL操作， DLL锁定或读/写
操作正在进行中。 CKE被允许变低，而任何其它的操作，例如行激活，预充电的
或自动预充电和刷新都在进步，但掉电IDD规范将不会被应用到这些整理
操作。
该DLL应该是处于锁定状态时掉电的最快掉电退出的时机进入。如果DLL是
在掉电模式下进入没有上锁，DLL必须退出掉电模式进行适当的读操作后复位
和ODT同步操作。 DRAM的设计提供了所有的AC和DC时序和电压规格以及
任何CKE密集型操作正确的DLL运行，只要DRAM控制器符合DRAM
特定连接的阳离子。
在掉电期间，如果所有银行都关闭后，任何正在进行的命令完成后，设备将在
预充电掉电模式;如果任何银行是正在进行的命令完成后打开，该设备将在
主动掉电模式。
进入掉电停用输入和输出缓冲器，不含CK， / CK ， ODT ， CKE和/复位。对
保护DRAM内部延迟CKE上线阻挡输入信号，需要多个NOP或DESL命令
所述CKE期间关闭并且循环后该定时周期（多个）被定义为tCPDED 。 CKE_low将导致
的tCPDED后命令和地址接收器停用已过期。
[掉电输入定义]
DRAM的状态
MR0位A12
DLL
On
PD退出
快
相关参数
TXP任何有效的命令
TXP任何有效的命令。因为它是在
预充电状态，命令，这里将成为
ACT ， AR ，刘健， PRE或PALL 。
tXPDLL谁需要的DLL命令
操作，例如读取， READA或ODT
控制线。
TXP任何有效的命令
活跃
不在乎
（银行或更加开放）
预充电
0
（所有银行预充电）
关闭
慢
预充电
1
（所有银行预充电）
On
快
同时该DLL在进入缓慢退出模式预充电断电禁用，但该DLL不停启用
在快速退出模式或主动断电预充电断电。在关断模式下， CKE低， RESET高
和一个稳定的时钟信号必须保持在DDR3 SDRAM的输入端，和ODT应该在一个有效的状态
但所有其他的输入信号是“不关心” （如果RESET掉电期间变为低电平时， DRAM将出PD的
模式并进入复位状态）。必须保持CKE低电平，直到tPD的已经满足了。断电持续时间是
限定了9倍tREFI设备。
当CKE注册高（连同NOP或DESL命令）掉电状态同步退出。
必须保持CKE为高电平，直到tCKE已经满足了。一个有效的，可执行的命令与应用
掉电退出延时， TXP和/或tXPDLL CKE后变为高电平。掉电退出延时被限定在交流
该数据表的特性表。
初步数据表E1629E20 （版本2.0 ）
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