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EDJ1104BFBG ， EDJ1108BFBG
时序值tXXXPDEN参数
DRAM的状态
空闲或活动
空闲或活动
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
空闲
空闲
最后命令CKE_low前
激活
预充电
读/ READA
WRIT的BL8MRS ， BL8OTF ， BC4OTF
WRIT的BC4MRS
参数
tACTPDEN
tPRPDEN
tRDPDEN
tWRPDEN
tWRPDEN
参数值
1
1
R L + 4 + 1个
单位
NCK
NCK
NCK
WL + 4 + （ tWR的/ TCK （ AVG） ）
NCK
1
*
WL + 2 + （ tWR的/ TCK
NCK
1
（ AVG） ） *
WL + 4 + WR * +1
WL + 2 + WR * + 1
1
TMOD
2
2
WRITA的BL8MRS ， BL8OTF ， BC4OTF tWRAPDEN
WRITA的BC4MRS
刷新
模式寄存器设置
tWRAPDEN
tREFPDEN
tMRSPDEN
NCK
NCK
NCK
注：1. tWR的是在纳秒定义， tWRPDEN的计算，有必要围捕tWR的/ TCK到下一个整数。
2. WR在时钟周期的编程模式寄存器。
掉电出入境澄清
案例1 ：
当CKE注册的低功耗入门下，TPD必须在CKE可以注册为高电平加电来满足
下退出。
案例1A ：
掉电后退出， tCKE必须满足前CKE可以重新注册很低。
T0
CK
/ CK
TIH
TIH
T1
Tn
Tn+1
Tx
Ty
CKE
TIS
TIS
tPD的
Tcke
tCPDED
命令
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
NOP
N
进入掉电
退出掉电
掉电进入/退出的澄清（ 1 ）
初步数据表E1629E20 （版本2.0 ）
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