位置：首页 > IC型号导航 > 首字符E型号页 > 首字符E的型号第868页 > EDJ1104BFBG-DJ-F > EDJ1104BFBG-DJ-F PDF资料 > EDJ1104BFBG-DJ-F PDF资料1第120页
EDJ1104BFBG ， EDJ1108BFBG
自刷新
自刷新命令可以用来保持在DDR3 SDRAM数据，即使该系统的其余部分是
断电。当处于自刷新模式时， DDR3 SDRAM保留无外部时钟的数据。在DDR3
SDRAM器件具有一个内置的定时器，以容纳自刷新操作。自刷新条目（SELF ）命令
由具有/ CS ， / RAS ， / CAS定义和CKE保持低与/ WE高在时钟的上升沿。
之前发出的自刷新进入命令时， DDR3 SDRAM必须是空闲的与所有银行预充电状态
tRP的满足。 “待机状态”是指所有的银行都关闭（TRP ， tDAL等满意） ，没有数据突发正在进行中，
CKE高，从以前的所有操作时序满足（超过tMRD ， TMOD ， tRFC ， tZQinit ， tZQoper ， tZQCS ，
等）的同时，片上终端必须发出自刷新进入命令，无论是在注册之前关闭
ODT管脚低“ ODTL + 0.5tCK ”之前的自刷新进入命令或使用MRS到MR1的命令。一旦
自刷新进入命令注册， CKE必须保持低电平以保持设备的自刷新模式。中
正常操作（DLL上） ， MR1 （A0 = 0）时，DLL将自动在进入自刷新停用，是
自动启用（包括DLL复位），在退出自刷新。
当DDR3 SDRAM进入自刷新模式下，所有的外部控制信号，除了CKE和/复位，
是“不关心” 。对于正确的自刷新操作，所有的电源和基准电压引脚（ VDD ， VDDQ ， VSS ， VSSQ ，
VREFCA和VREFDQ ）必须在有效的水平。 VREFDQ供应可被关闭，并且VREFDQ可以采取任何
自刷新操作期间， VSS和VDD之间的值，条件是VREFDQ是有效和稳定之前CKE
回去很高，因此第一次写操作，或第一次写练级活动后可能不会发生早于512 NCK
退出自刷新。在DRAM发起最小的一个刷新命令的内部tCKESR期限内一次
在进入自刷新模式。
时钟自刷新操作过程中在内部禁用，以节省电力。的最小时间，该DDR3
SDRAM中必须保持在自刷新模式中是tCKESR 。用户可以改变外部时钟频率或停止
外部时钟tCKSRE周期自刷新条目被登记之后，但是，时钟必须重新启动并稳定
设备之前tCKSRX时钟周期可以退出自刷新操作。为了保护CKE上线DRAM内部延迟
阻止输入信号，一个NOP （或DESL ）命令自刷新条目之后需要。
用于退出自刷新的过程需要的事件序列。首先，时钟必须是稳定之前CKE
回到高。一旦自刷新退出命令（ SREX ， CKE的组合变高，要么NOP指令或
DESL于命令总线）被登记时，至少TXS之前必须有效命令不要求被满足的延迟
锁定的DLL可以被发布到设备，以允许在任何正在进行的内部刷新。
之前，需要一个锁定DLL中的命令可应用于，至少tXSDLL的延迟必须得到满足。
根据系统环境和所需的时间量在自刷新花费， ZQ校准命令可以
需要在ZQ校准部分描述用于补偿电压和温度漂移。发行ZQ
校准命令，适用的时序要求，必须满足（见图ZQ校准） 。
CKE必须保持高度的整个自刷新退出期tXSDLL正常运行，除了自刷新
再入。在从自刷新退出时， DDR3 SDRAM可以放回到自刷新模式中，至少在等待后
TXS期，发行1刷新命令（刷新周期tRFC的） 。 NOP或DESL命令必须注册
上的自刷新退出间隔TXS在每个正时钟沿。 ODT必须tXSDLL期间被关闭。
使用自刷新模式中介绍的可能性，内部定时的刷新事件可以被遗漏时
CKE升高为从自刷新模式中退出。在从自刷新退出时， DDR3 SDRAM至少需要
之前一个额外的刷新命令被放回到自刷新模式。
初步数据表E1629E20 （版本2.0 ）
120
