CY14E256LA
真值表的SRAM操作
HSB必须保持高度的SRAM操作。
表2.真值表
CE
H
L
L
L
WE
X
H
H
L
OE
X
L
H
X
高Z
数据输出（ DQ
0
-DQ
7
)
高Z
在（ DQ数据
0
-DQ
7
)
输入/输出
读
输出禁用
写
模式
取消/省电
待机
活跃
活跃
活跃
动力
订购信息
速度
（纳秒）
25
45
订购代码
CY14E256LA-SZ25XIT
CY14E256LA-SZ25XI
CY14E256LA-SZ45XIT
CY14E256LA-SZ45XI
所有提及的部件是无铅的。
包
图
51-85127
套餐类型
32引脚SOIC
操作
范围
产业
订购代码定义
CY 13 E 256 L A - ZS 25 X I T
选项：
T =卷带式
空白 - 标准。
无铅
包装：
ZS - 44 TSOP II
SZ - 32 SOIC
数据总线：
L - X8
温度：
我 - 工业级（-40 85
o
C)
速度：
25到25纳秒
45至45纳秒
模具修改：
空白 - 无转
A – 1
st
转
电压：
ê - 5.0 V
密度：
256 = 256 KB
14 - 的nvSRAM
柏
文件编号： 001-54952修订版* F
第15页19
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